Обсуждаем сварочные ИНВЕРТОРЫ.

УголДома написал : Модули, аднака.

Ну, если то модули, то avaks кетайский император.

avaks чукча Господа, не надо так спешить, в оном вопросе я не более чем папарацци. Ниже фрамент документа, подписанный лично Великим Кормчим Мао, такшта за базар отвечает он. Я только в замочную скважину подглядывал, не более.

УголДома написал : Ниже фрамент документа

Там вроде за модули ничего не упоминается. .....Применяются ижбт компоненты и шим технологии итд.

1972 написал : Там вроде за модули ничего не упоминается.

1972 А чё делать? Посыпаю голову пеплом. Енто я накосячил. Сорри. Не сложно лохануться, ни разу не видев енти IGBT-модули внатуре.
Значит, речь идет исключительно про биполярные транзисторы с изолированным затвором в дискретном исполнении IGBT. ЧИТАТЬ КОМУ НЕ ЛЕНЬ

I поколение IGBT (1985 г.): предельные коммутируемые напряжения 1000 В и токи 200 А в модульном и 25 А в дискретном исполнении, прямые падения напряжения в открытом состоянии 3,0-3,5 В, частоты коммутации до 5 кГц (время включения/выключения около 1 мкс).
II поколение (1991 г.): коммутируемые напряжения до 1600 В, токи до 500 А в модульном и 50 А в дискретном исполнении; прямое падение напряжения 2,5-3,0 В, частота коммутации до 20 кГц ( время включения/ выключения около 0,5 мкс). III поколение (1994 г.): коммутируемое напряжение до 3500 В, токи 1200 А в модульном исполнении. Для приборов с напряжением до 1800 В и токов до 600 А прямое падение напряжения составляет 1,5-2,2 В, частоты коммутации до 50 кГц (времена около 200 нс).
IV поколение (1998 г.): коммутируемое напряжение до 4500 В, токи до 1800 А в модульном исполнении; прямое падение напряжения 1,0-1,5 В, частота коммутации до 50 кГц (времена около 200 нс).

А что могут современные модули на базе IGBT - ИТМ – ваще жуть. Не удивительно, что сварочнеги на них получаются такие продвинутые. Там сами модули содержат микроконтроллер прямо на борту и следят за многими процессами самостоятельно. И ККМ туда же.

В модулях IGBT драйверы непосредственно включены в их структуру. "Интеллектуальные" транзисторные модули (ИТМ), выполненные на IGBT, также содержат " интеллектуальные" устройства защиты от токов короткого замыкания, системы диагностирования, обеспечивающие защиту от исчезновения управляющего сигнала, одновременной проводимости в противоположных плечах силовой схемы, исчезновения напряжения источника питания и других аварийных явлений. В структуре ИТМ на IGBT предусматривается в ряде случаев система управления с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) и однокристальная ЭВМ. Во многих модулях имеется схема активного фильтра для коррекции коэффициента мощности и уменьшения содержания высших гармонических в питающей сети. IGBT-модуль по внутренней электрической схеме может представлять собой единичный IGBT, двойной модуль (half-bridge), где два IGBT соединены последовательно (полумост), прерыватель (chopper), в котором единичный IGBT последовательно соединён с диодом, однофазный или трёхфазный мост. Во всех случаях, кроме прерывателя, модуль содержит параллельно каждому IGBT встроенный обратный диод. Наиболее распространённые схемы соединений IGBT- модулей приведены на фотке ниже.

Сгораю от стыда, пошёл реветь. И как же там работают дискретные транзисторы IGBT, ежели их всего 4 (скорее всего 2-е поколение IGBT), а кричат о 50А на штуку? Там в в итоге получается 200А всего, а заявлено - 250А. Полный жоп.

1972 Архаичный MOSFET хоть в чём-то молодец и по сей день.

С другой стороны, MOSFET c номинальными напряжениями 200 В и меньше имеют более низкое значение напряжения во включённом состоянии, чем IGBT , и остаются непревзойдёнными в этом отношении в области низких рабочих напряжений и коммутируемых токов до 50 А.

УголДома, что тут можно сказать, только :applause:

off Иногда смеюсь, когда обращаюсь к кому - либо из форумчан(оригинальные ники:) ) И вот смеялся намедни, читая реакцию женщины на ник http://www.mastercity.ru/vforum/showpost.php?p=1004949&postcount=6 :)

1972
(* встаёт, кланяется, но еще ревёт...) Сообщите, как маслаются 250А с ПВ=60% на фотке ниже?

Часто на заборе пишут слово из трех букв, а за забором-то дрова :).
У китайцев своя фишка. В инструкции пишут для доверчивых лохов - скорость 300 кмЧ, мощность 1500 Ватт или как у Вас (250 А, 60% ПВ). Ну и что, что скорость окажется в два раза меньше, мощность в 10, а ПВ в 5. Домашний юзер и не проверит никогда. А выбирать лохи будут по книжкам и не купят ничего у честного производителя, который укажет реальный ток 200А при ПВ 20%, зато китайцев сметут с полок.

P.S. Ув. УголДома, я имею счастье читать Ваши реплики и здесь и на чипмейкере. Хотите хороший совет? Не пытайтесь шутить, у Вас никак смешно не получается. Хотя конечно хозяин-барин, указывать не смею.

УголДома написал : Сообщите, как маслаются 250А с ПВ=60% на фотке ниже?

Хорошо бы увидеть и тип ключа, знать рабочую частоту и топологию. Сходу можно ошибиться, но очень приблизительно можно предположить, что ток через ключи может достигать значения, примерно около 80А. Там, вроде два в параллель - значит 40А через ключ. Это достаточно много для дискретного прибора в корпусе ТО247, учитывая то, что они стоят через изолятор. Это очень сильно снижает теплопроводность. Даже без изолятора - режим ключей был бы на грани теоретических возможностей. Так что думаю речь идёт о китайских 250А. Если я ошибаюсь, меня подправят.

УголДома написал : Сгораю от стыда, пошёл реветь. И как же там работают дискретные транзисторы IGBT, ежели их всего 4 (скорее всего 2-е поколение IGBT), а кричат о 50А на штуку? Там в в итоге получается 200А всего, а заявлено - 250А. Полный жоп.

Да не убивайтесь вы так, вы же так не убъётесь. (с) Вот эти все поколения айджыбитей касаются не только модулей, а и т.н. дискретных тоже, ибо речь о развитии технологии изготовления кристаллов, а модули/дискрет - это уже больше касается способов и технологий их корпусировки и проч. сопутствующих прибамбасов. Кстати, там упомянуты 4 поколения по 98-й год, а после 98-го миновало ещё 3-4 поколения, и на данный момент у особо продвинутых продашунов уже 8-е и большой срок беременности 9-м. Дискретные айджыбити в корпусах ТО-247 (на вашем фото) по параметрам часто не хуже, а то и даже лучше модулей. Иногда одни и те же кристаллы суют и в модули, и в дискрет.