ГОСТ написал : тьфу-тьфу... пусть не ломается
ТТТ;) Так то я не слишком плохой человек;)
16.02.2012 в 18:09:14
ГОСТ написал : Наоборот, гостям всегда рады
Тада надо говорить:милости просим,просим-заезжайте...:)
16.02.2012 в 22:34:29
Sizov написал : На оф. сайте указано,что там IGBT и выглядит другим.Если там действительно IGBT это плохо для ремонта?
POG65 написал : Спасибо. Успокоили. Все равно маленько сомнения гложут... Хотя пока все в норме.
IGBT транзисторы появились более 25 лет назад,лично я с ними познакомился - 18 лет назад.За это время технологии их пр-ва ушли далеко вперёд,снизилась масса,значительно возросла надежность и ,что самое главное,резко снизилась их стоимость.Если еще 10 лет назад их ставили только в дорогие проф. аппараты,то сейчас эти замечательные компоненты вполне доступны для установки в СОВРЕМЕННЫХ бытовых аппаратах. Вспомните,ешё 20 лет назад мобильник тоже был диковиной,а сейчас их как грязи и стоят копейки(не все конечно),так и с IGBT. На мосфетах производятся устаревшие модели,единственое их приемущество более низкая цена и меньший вес,зато и надежность их ниже.
16.02.2012 в 23:03:08
Да и прсудите Сами,Sizov,где выше вероятность отказа - там,где установлены 12 MOSFET ,или там где 4 ,довольно мощных,IGBT транзистора? Вывод,по-моему,очевиден.Хотя,впрочем,у Вас, возможно ,своё мнение на сей счёт.
16.02.2012 в 23:17:49
Печчка написал : Да и прсудите Сами,Sizov,где выше вероятность отказа - там,где установлены 12 MOSFET ,или там где 4 ,довольно мощных,IGBT транзистора? Вывод,по-моему,очевиден.Хотя,впрочем,у Вас, возможно ,своё мнение на сей счёт.
да не все так однозначно. чем больше корпусов транзисторов - источников тепла, тем легче от них его отводить, и более равномерно распределить их по радиатору. хотя, это, наверное, чуть ли не единственный плюс.
16.02.2012 в 23:29:58
Печчка написал : Да и прсудите Сами,Sizov,где выше вероятность отказа - там,где установлены 12 MOSFET ,или там где 4 ,довольно мощных,IGBT транзистора?
По-моему,лучше не судить,а почитать инфу. Надёжность MOSFET Надёжность IGBT
Если говорить о влиянии темпервтуры,то это более зависит от конструкции корпуса и соотв. графики для них примерно одинаковы,насколько понимаю (см. циклы/перегрев).
16.02.2012 в 23:30:59
ГОСТ написал : да не все так однозначно. чем больше корпусов транзисторов - источников тепла, тем легче от них его отводить, и более равномерно распределить их по радиатору. хотя, это, наверное, чуть ли не единственный плюс.
При мощном постоянном обдуве говорить о перегреве IGBT транзисторов как-то не приходится,да и защита ,на сей случай,предусмотрена.Всё дело в том,что раньше,они действительно были прилично дороги и применялись только в дорогих аппаратах.Лет через 5,я думаю,вообше все инверторы будут на IGBT.
16.02.2012 в 23:40:02
aluma ! Мы с Вами,как и с 7351 ,можем уйти в такие "высокие сферы" ,что ribakov снова решит нас покинуть,чтобы,видимо, голова не закружилась от недостатка кислогорода.:)
16.02.2012 в 23:47:05
Печчка написал : При мощном постоянном обдуве говорить о перегреве IGBT транзисторов как-то не приходится,да и защита ,на сей случай,предусмотрена.Всё дело в том,что раньше,они действительно были прилично дороги и применялись только в дорогих аппаратах.Лет через 5,я думаю,вообше все инверторы будут на IGBT.
Дело не в отводе тепла от радиатора (с этим все понятно) а именно тепла от кристалла транзистора к радиатору. Одно дело отвести с одного корпуса тр. через который протекает ток в 60А, совершенно другое - от 3-х корпусов тр. через каждый проходит по 20А.
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь, чтобы оставить комментарий.
Присоединяйтесь к самому крупному DIY сообществу
