IGBT и MOSFET-инверторы - в чем разница?

сварочные инверторы, изготовленные с использованием IGBT-полупроводников - в чем преимущество перед MOSFET-технологией?

когда сгорят транзисторы, то денежек за IGBT отдашь раз в 5 больше чем за Mosfet и устанешь их искать по магазинам

Разница в транзисторах, друг мой, MOSFET - это полевые транзисторы, как правило каскадированные (спараллеленные), засчёт чего дешевле, а IGBT - биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они сами по себе держут намного большие мощности, но намного дороже сами, а также управляющая схема подороже. Преимуществ в сварке - никаких, есть недостатки в сервисном обслуживании. Для IGBT инверторов не так-то просто найти запчасти.

mitin написал : сварочные инверторы, изготовленные с использованием IGBT-полупроводников - в чем преимущество перед MOSFET-технологией?

В настоящее время параметры и цена ижбт и мосфет элементов очень близки. Существенных преимуществ одной перед другой практически нет в тех диапазонах мощностей, в которых применяются сварочные инверторы. Хотя, касаемо высоковольтной техники, то тут вес больше переходит на сторону ижбт транзисторов.

Вот там выше товарищ правильно заметил, что при выходе из строя IGBT-инвертора, Вы замените в нем ВСЕ (!) ключи, а при выходе из строя MOSFET-инвертора, Вы замените их максимум два (например, САИ-200). Кто-то скажет: "Так, в современных IGBT-инвертора, обычно всего два IGBT-транзистора". Это верно, НО не всегда. В НЕОНАХ и им подобным их от 6 до 10. В BlueWeld-ах их от от 2 до 4, но там вместе с силовыми диодами вылетает весь драйвер. В "гусях" и Awelko их от 6 до 8 в этом случае ремонт вообще проблемматичен (а для гуся это МОГИЛА в полном смысле слова). В Asea летят IGBT-модули. Их стоимость от 2500 руб за штуку (нужен один). Но, тем не менее весь мир переходит на IGBT - это дешевле для производителя. Дешевле по комплектации и по технлогии.

Основная разница в том, что с ростом напряжения питания инвертора потери на ключах у igbt растут гораздо медленнее, чем у mosfet, и при напряжениях 500...600В и более у igbt в этом плане уже существенное преимущество. Но при относительно низких напряжениях питания, где-то до 200...250В, потери меньше у mosfet. А вот в диапазоне 300...400В (тут как раз инверторы с однофазным питанием) типо пограничная зона, явных преимуществ нет ни у кого. Из неявных: при прочих примерно равных у igbt меньше входная ёмкость - проще управлять, и для изготовления igbt ключа нужен кристалл меньшей площади, из-за чего они чуть дешевле (если где-то за них ломят цену - это не иначе просто проделки розничных продаванов). Ну и к тому же технология mosfet уже почти исчерпала все теоретические возможности для улучшательства, а igbt сейчас развиваются гораздо живее.

kep, падёж ключей при отказе в силовой части скорее зависит от спецыфики в схематике и конструкции конкретной машынки, а не от того, igbt там или mosfet.

чукча написал : падёж ключей при отказе в силовой части скорее зависит от спецыфики в схематике и конструкции конкретной машынки, а не от того, igbt там или mosfet.

... возможно, но почему в тех же САИ летят только два, а в, например, Prorab IN160 (кажется, не ошибся в названии) всегда летят все четыре (IGBT HGTG30N60A4D, могут быть и другие). Управа Prorab IN160 один в один САИ. Там даже "та же торчащая платка" есть. Защита та же. Вторичный блок питания слегка модернизированный.

чукча написал : из-за чего они чуть дешевле (если где-то за них ломят цену - это не иначе просто проделки розничных продаванов)

Это где же Igbt дешевле Mosfet? Не иначе продаваны во всем мире устраивают проделки По этой ссылке http://ru.farnell.com/fairchild-semiconductor/hgtg30n60a4d/igbt-to-247/dp/9846611 стоимость Igbt HGTG30N60A4D 11евро А здесь http://www.icled.ru/ru/katalog/products/tranzistory-polevye-igbt-i-moduli?action=rsrtme&catid=20026&offset=520 Mosfet K2837 стоит 40 рублей И тот и другой стоят в аппаратах типа САИ. Разница в цене 1 к 10

bvale, цены - вапроц нежный. HGTG30N60A4D по 11 евро в каталоге Фарнелл - вряд ли это потолок, думаю можно найти и по 20, но это долго искать. Проще найти места, где они вполне доступны по 5-6 евро. На "митинском радиорынке" в г. Москва (вторая сцылка) попасть на левак гораздо проще, чем во многих других местах, но при ценах типо всего 40 рублей за некий "Mosfet K2837" ряды потерпевшых вряд ли когда поредеют. А тошибовский мосфет 2SK2837 не на митинском рынке стоит где-то 3 евро. Но чтобы на токе 20А у них статические потери были не больше, чем у одного HGTG30N60A4D, этих 2SK2837 нада 3-4 штуки параллельно, смотря для какой температуры кристалла. Вот и считайте...

чукча написал : с ростом напряжения питания инвертора потери на ключах у igbt растут гораздо медленнее, чем у mosfet, и при напряжениях 500...600В и более у igbt в этом плане уже существенное преимущество

Это утверждение не распространяется на схемы с рекуператорами реактивных ёмкостных коммутационных мощностей в цепях стоков и затворов mosfetов

Уважаемые коллеги, спор беспредметен. Особой разницы в обоих технологиях на уровне сварочного инвертера нет. Просто в схемах с IGBT меньше элементов, особенно тех, которые надо крепить на радиаторы.
Реальное преимущество IGBT начинается с токов в килоамперы и напряжений с киловольта.