IGBT и MOSFET-инверторы - в чем разница?

Вопрос задан для того ,чтобы выбрать из двух инв. сварочников - один - клон САИ-200 (по кр. мере внешне) http://www.piran-saw.ru/katalog/svarochnye_invertory/, а вот второй - http://www.nikatool.ru/ Первый стоит 5600 р, второй - 6200 р. Какой взять (выбирается заочно)?

И тишина...уж много лет...

да варит народ наверное, а не языком чешет. за те 5 лет от мосфет даже подпольный кетай отказался.

чукча написал : Основная разница в том, что с ростом напряжения питания инвертора потери на ключах у igbt растут гораздо медленнее, чем у mosfet, и при напряжениях 500...600В и более у igbt в этом плане уже существенное преимущество. Но при относительно низких напряжениях питания, где-то до 200...250В, потери меньше у mosfet. А вот в диапазоне 300...400В (тут как раз инверторы с однофазным питанием) типо пограничная зона...

kep, падёж ключей при отказе в силовой части скорее зависит от спецыфики в схематике и конструкции конкретной машынки, а не от того, igbt там или mosfet.

Хочу согласиться с этим мнением.
Внесу небольшую лепту в ваш диалог. Я не особый электронщик, но по опыту производства наших сварочных аппаратов Торус (а они у нас на мосфете) и общения с разработчиками хочу добавить, что еще отличие в "переключении ключей". В диапазоне работы 300-400В Igbt происходит "жесткое переключении ключей", на мосфет более "мягкое". Это сказывается на долговечности транзисторов. Т.е. ключи у мосфет переключаются как бы резче, сигналы более правильной прямоугольной формы. А на igbt - с небольшим "затуханием". Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь. Я извиняюсь, мож и не совсем корректно объяснил или не так сказал, поправьте.
А про перспективу мосфета.. Ну, что знаю, эту модельку евм выпускают на них.
В перспективе у нас Торус легко может быть при ПВ100% на токе 250-260А, при сохранении тех же размеров и веса 5,7кг. На замену Торус 255. Только нужно ли это кому-нить? )). Так, для источника тока, мощного и легкого. Возможно и будет.

Валери2001 написал : Хочу согласиться с этим мнением.
А на igbt - с небольшим "затуханием". Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь.

Иногда это называют эффектом "хвоста" IGBT. Вызвано это структурой этого составного транзистора, в котором полевой транзистор на входе и биполярный на выходе. Частотный диапазон IGBT как правило уже чем у полевых транзисторов. По крайней мере пока. Вместе с тем, как уже было отмечено выше, при обеспечении равных статических потерь IGBT выйдет дешевле.

Валери2001 написал : В перспективе у нас Торус легко может быть при ПВ100% на токе 250-260А, при сохранении тех же размеров и веса 5,7кг. .

Где доказательства на прогоне? (Часа 3-5) И не надо меня лечить,типа форсажа,горстарта и антистика там нет. Вы хотя бы знаете как это всё грамотно должно быть реализовано? (расчитано на тупого сварного наверно))))) На вэбсварке в видео всё показали.. Графики-цЫфры,ВАХ чтобы все видели!!! (на вашем стенде) Слабо? Торус как сварка так себе..(варил 200 и 200С),выпрямители и то варят лучше. А уж запредельные токи и ПВ на "самопале" сделать не сложно.:p

Валери2001 написал : А про перспективу мосфета.. Ну, что знаю, эту модельку евм выпускают на них.

Пико 180, на мосфетах? Что-то, как-то, весьма сомнительно... 162-й на игбт.

Валери2001 написал : Т.е. ключи у мосфет переключаются как бы резче, сигналы более правильной прямоугольной формы. А на igbt - с небольшим "затуханием".

Не факт, мяхко говоря, потому что: 1) у mosfet по сравнению с igbt при прочих примерно равных в несколько раз больше входная ёмкость, и далеко не каждый драйвер ключа сможет перезарядить такую ёмкость достаточно быстро; 2) igbt последних поколений вообще практисски не уступают mosfet в плане "резче".

Валери2001 написал : Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь.

То ли вы не так поняли, то ли разрабы ваши что-то не то вам рассказали. Т.н. "хвост" при закрывании igbt имел место быть только у самого первого поколения igbt, ну может ещё частично у второго. Сейчас они уже восьмого поколения, если не больше.

x-men написал : Иногда это называют эффектом "хвоста" IGBT. Вызвано это структурой этого составного транзистора, в котором полевой транзистор на входе и биполярный на выходе.

Эта проблема неактуальна уже минимум как лет 15, а скорее 20, см. выше.

ASN написал : Пико 180, на мосфетах?

да. сейчас делают опытный образец на так называемых IGBT new, но они будут только с VRD, и продаваться в Европе (в лучшем случае) с конца этого года.

ASN написал : 162-й на игбт.

да. 220 тоже на игбт.

Интересно, чем же обусловлены такие особенности схемотехники ЕВМ, что именно у 180-го мосфеты, у остальных ИГБТ.

чукча, хвост просто стал меньше. Прогресс конечно большой, но принципиально это явление в каком то виде будет всегда. Потому что хвостом называется остаточный ток коллектора биполярного транзистора, имеющегося в lgbt, возникающий из-за процесса рассасывания носителей в области базы после запирания транзистора.