Про igbt vs mosfet.
Три основных параметра:
1) падение напряжения на открытом транзисторе - статические потери;
2) время нарастания и спада тока - динамические потери при переключении;
3) ёмкости затвор-исток и затвор-сток (ака ёмкость Миллера) - насколько "тяжело" его переключать.
Так вот если подобрать пару igbt и mosfet, близкие по п.1, то ёмкости по п.3 у mosfet будут раза в 3-4 больше. И чтобы этот mosfet не слил igbt ещё и по динамическим потерям п.2, нужно для управления им использовать оч. сурьёзный драйвер с большими импульсными токами, что добавляет критичности к топологии монтажа и компоновке, ну и ещё кое-что тянет за собой. Причом при параллельном включении mosfet эта проблема с драйверами нарастает резче, чем просто пропорционально количеству транзисторов.
И кстати, igbt соединяются параллельно ничуть не хуже mosfet, температурный коэф. у них тоже положительный.
Кроме того, при близких параметрах по п.1 для igbt нужен кристалл заметно меньшей площади, что влияет на цену.
Так шта, в современных разработках по сабжу mosfetы тихо курят в уголочке дальнего сарая. igbt оч. интенсивно развились и улучшились только последине лет 10, до этого уступали mosfetам.
А в многих бюджетных кетайсах до сир пор используются mosfet`ы только потому, что это чьи-то старые разработки 10-15-летней и более давности. Так шта, если в хвалилке инвертора написано, что он сделан на основе супер-пупер технологии МОСФЕТ или чё-то вроде, то это весьма верный признак, что это просто древнее барахло.
