Обсуждаем сварочные ИНВЕРТОРЫ.

Для УголДома
по модулям http://www.mastercity.ru/vforum/showpost.php?p=1123261&postcount=6266 http://www.mastercity.ru/vforum/showpost.php?p=1123268&postcount=6267 http://www.mastercity.ru/vforum/showpost.php?p=1123403&postcount=6269 http://www.mastercity.ru/vforum/showpost.php?p=1123901&postcount=6273

УголДома написал : Сварочный полуавтомат Forsage 280 Tornado 220 В Маркировка "280" - девай однофазный. СМОТРЕТЬ

Кстати,только сейчас заметил,на лице аппарата написано:регулировка подачи и регулировка тока!А на соседней ветке,уважаемые люди разъяснили мне,что этого не может быть в принципе!Из этого следует,если пишут не грамотно,есть вероятность,что и делают так же.Наверно я погорячился с первыми выводами.

Многорук, я знаю ряд мелких производителей подобных полуавтоматов. Общее место - там зачастую вообще нет реальных специалистов не только именно по сварке, но даже просто хотя бы на уровне грамотного электрика. С соответствующими неизбежными последствиями. И есть много признаков, что это характерная ситуация. Слыхал, что есть исключения, но лично мне не попадались. Вряд ли украинские в этом плане сильно отличаются.

чукча написал : Про те модули. Думаю вряд ли в этом подвернувшемся вам дэвайсе случилось чудо и кетайсы поставили туда современный модуль с хорошими параметрами. Так шта думаю не стоит второй раз его препарировать по этому поводу, чудес не бывает.

чукча Алексей, спасибо за разъяснения. Теперь я вкурил чё почем. Спасибо, что ознакомились с той темой. Мне енто было очень важно. Алексей, я там в прошлом годе допустил некоторое блатование в ваш адрес, в нашем диалоге. Прошу прощения, очень сожалею. Бес попутал... К слову.
Топология того (подвернувшегося) дэвайса ну просто один в один совпадает с сэлмовской CUT-100. Разница: -

• у сэлмы есть дополнительная плата управления. Не успел разглядеть для чего она;
• у сэлмы схема осциллятора покруче будет, много силовых элементов, хотя, импульсные трансы осциллятора очень похожи.
• у сэлмы модули ну в 2 раза больше размером, ежели не в 3;
• у сэлмы ляменивые радиаторы модулей в 2 - 2,5 раза больше;
• у сэлмы высокочастотный силовой транс (вторичная обмотка) намотана многопроволочной медью, видать для увеличения площади для поверхностного протекания ВЧ токов дуги. У залетного кетайса - обычная прямоугольная медная шина. Да и цына у селмы ровно в 2 раза выше. Предполагаю, шо сэлмовская установка - есть честный кетай (хоть и старый), а залетный девайс - не понять чё. Прикололся с наличия датчика давления в обоих девайсах. У меня на ZX7-60CUTM - нет датчика, мать его. Ежели воздух исчезнет вдрух, то хана плазмотрону враз. Набрался говена по-бедности, теперь весь на измене. ZX7-60CUTM - на МОСФЕТАХ, цельный мешок корпусов, со счету сбился. ((от авт.) хотел пару строк черкануть, опять роман "Мать" отписал)

1972 написал : Для УголДома по модулям

1972 Спасибо. Топы прочитал и сохранил ссылы.

чукча
Алексей, а вот силовая часть ПА "MIG-250" от Сэлмы. Модули, аднака. Фотки с двух сторон по ходу корпуса. Номиналов не видно, но я уточню для общего обозрения.

УголДома написал : Модули, аднака.

Смайлик поставить забыл :) (или модули забыли поставить? :( )

УголДома написал : Модули, аднака.

Ну, если то модули, то avaks кетайский император.

avaks чукча Господа, не надо так спешить, в оном вопросе я не более чем папарацци. Ниже фрамент документа, подписанный лично Великим Кормчим Мао, такшта за базар отвечает он. Я только в замочную скважину подглядывал, не более.

УголДома написал : Ниже фрамент документа

Там вроде за модули ничего не упоминается. .....Применяются ижбт компоненты и шим технологии итд.

1972 написал : Там вроде за модули ничего не упоминается.

1972 А чё делать? Посыпаю голову пеплом. Енто я накосячил. Сорри. Не сложно лохануться, ни разу не видев енти IGBT-модули внатуре.
Значит, речь идет исключительно про биполярные транзисторы с изолированным затвором в дискретном исполнении IGBT. ЧИТАТЬ КОМУ НЕ ЛЕНЬ

I поколение IGBT (1985 г.): предельные коммутируемые напряжения 1000 В и токи 200 А в модульном и 25 А в дискретном исполнении, прямые падения напряжения в открытом состоянии 3,0-3,5 В, частоты коммутации до 5 кГц (время включения/выключения около 1 мкс).
II поколение (1991 г.): коммутируемые напряжения до 1600 В, токи до 500 А в модульном и 50 А в дискретном исполнении; прямое падение напряжения 2,5-3,0 В, частота коммутации до 20 кГц ( время включения/ выключения около 0,5 мкс). III поколение (1994 г.): коммутируемое напряжение до 3500 В, токи 1200 А в модульном исполнении. Для приборов с напряжением до 1800 В и токов до 600 А прямое падение напряжения составляет 1,5-2,2 В, частоты коммутации до 50 кГц (времена около 200 нс).
IV поколение (1998 г.): коммутируемое напряжение до 4500 В, токи до 1800 А в модульном исполнении; прямое падение напряжения 1,0-1,5 В, частота коммутации до 50 кГц (времена около 200 нс).

А что могут современные модули на базе IGBT - ИТМ – ваще жуть. Не удивительно, что сварочнеги на них получаются такие продвинутые. Там сами модули содержат микроконтроллер прямо на борту и следят за многими процессами самостоятельно. И ККМ туда же.

В модулях IGBT драйверы непосредственно включены в их структуру. "Интеллектуальные" транзисторные модули (ИТМ), выполненные на IGBT, также содержат " интеллектуальные" устройства защиты от токов короткого замыкания, системы диагностирования, обеспечивающие защиту от исчезновения управляющего сигнала, одновременной проводимости в противоположных плечах силовой схемы, исчезновения напряжения источника питания и других аварийных явлений. В структуре ИТМ на IGBT предусматривается в ряде случаев система управления с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) и однокристальная ЭВМ. Во многих модулях имеется схема активного фильтра для коррекции коэффициента мощности и уменьшения содержания высших гармонических в питающей сети. IGBT-модуль по внутренней электрической схеме может представлять собой единичный IGBT, двойной модуль (half-bridge), где два IGBT соединены последовательно (полумост), прерыватель (chopper), в котором единичный IGBT последовательно соединён с диодом, однофазный или трёхфазный мост. Во всех случаях, кроме прерывателя, модуль содержит параллельно каждому IGBT встроенный обратный диод. Наиболее распространённые схемы соединений IGBT- модулей приведены на фотке ниже.

Сгораю от стыда, пошёл реветь. И как же там работают дискретные транзисторы IGBT, ежели их всего 4 (скорее всего 2-е поколение IGBT), а кричат о 50А на штуку? Там в в итоге получается 200А всего, а заявлено - 250А. Полный жоп.

1972 Архаичный MOSFET хоть в чём-то молодец и по сей день.

С другой стороны, MOSFET c номинальными напряжениями 200 В и меньше имеют более низкое значение напряжения во включённом состоянии, чем IGBT , и остаются непревзойдёнными в этом отношении в области низких рабочих напряжений и коммутируемых токов до 50 А.

УголДома, что тут можно сказать, только :applause:

off Иногда смеюсь, когда обращаюсь к кому - либо из форумчан(оригинальные ники:) ) И вот смеялся намедни, читая реакцию женщины на ник http://www.mastercity.ru/vforum/showpost.php?p=1004949&postcount=6 :)

1972
(* встаёт, кланяется, но еще ревёт...) Сообщите, как маслаются 250А с ПВ=60% на фотке ниже?