Помогите опознать транзистор из БП: 4ONO3P 220311

Помогите опознать транзистор из БП ATX из компа: 4ONO3P 220311

По первым цифрам в гугл находятся куча ссылок - но все нерабочие. Что означают вторые цифры - дата выпуска - по ней вообще ничего не находится ? Транзистор стоял на радиаторе - там еще такой же, между ними две черные трубочатые детальки [в БП есть еще один радиатор - там сразу три транизистора]. Если я заменю транзистор на более мощный - это будет по принципу "кашу маслом не испортишь" или он должен быть идентичным второму ?

2SergeyE По моему мнению Вы хотите объять необъятное, знать все нельзя, форум может советовать, но разрешить все вопросы возникающие в Вашей жизни нельзя. Вы пытаетесь заниматься ремонтом вещей, о которых имеете смутное представление, стремление похвальное, но пытаясь ремонтировать электронику, попытайтесь зарегистрироваться на espec.monitor.ru. Профессиональные советы и техническая информация гарантированы, но для этого надо знать минимум и не спрашивать: "Где поселиться на пенсии?" Извините за менторский тон.

serezhiki написал : попытайтесь зарегистрироваться на espec.monitor.ru. Профессиональные советы и техническая информация гарантированы

Совет несколько не по адресу, это портал профессиональных мастеров, на вопросы типа "что это за прямоугольная деталька" будет как минимум молчание. Грамотная формулировка вопроса и собственная грамотность в теме, по которой задаётся вопрос, просто необходимы.

сегодня должно быть хмурое утро...

2SergeyE Именно профессиональных, которые знают как. Но от Вас требуется предельная краткость и точность. Квадратность деталей там не обсуждается. Но именно там есть изюминка ремонта техники, выкладываются грабли (перевернутые), чтобы другие не наступали. Вы можете найти схему электрическую принципиальную, по ней определить марку дохлого элемента и... все ремонт окончен.

Вы уверены, что после ремонта БП не сожжет плату? Проц? В конце концов самоделку?

SSM40N03P N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low gate charge BVDSS 30V Simple drive requirement RDS(ON) 17mW Fast switching ID 40A Description Absolute Maximum Ratings Symbol Units VDS V VGS V ID @ TC=25°C ID @ TC=100°C IDM A PD @ TC=25°C W/°C TSTG TJ Symbol Value Unit Rthj-c Thermal Resistance Junction-case Max. 2.5 °C/W Rthj-a Thermal Resistance Junction-ambient Max. 62 °C/W Parameter Rating Drain-Source Voltage 30 Gate-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V 40 A Continuous Drain Current, VGS @ 10V 30 A 0.4 Storage Temperature Range Total Power Dissipation 50 W -55 to 150 °C Thermal Data Parameter Pulsed Drain Current1 169 Operating Junction Temperature Range -55 to 150 °C Linear Derating Factor Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is widely preferred for commercial and industrial applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converters and high efficiency switching circuits. ± 20 G D S TO-220 G D S Rev.2.01 7/01/2004 www.DataSheet4U.com www.SiliconStandard.com 2 of 6 SSM40N03P Electrical Characteristics @ Tj=25oC (unless otherwise specified) Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Units BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 30 - - V DBVDSS/ DTj Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25°C, ID=1mA - 0.037 - V/°C RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance VGS=10V, ID=20A - 14 17 mW VGS=4.5V, ID=16A - 20 23 mW VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS, ID=250uA 1 - 3 V gfs Forward Transconductance VDS=10V, ID=20A - 26 - S IDSS Drain-Source Leakage Current (Tj=25oC) VDS=30V, VGS=0V - - 1 uA Drain-Source Leakage Current (Tj=150oC) VDS=24V,VGS=0V - - 25 uA IGSS Gate-Source Leakage VGS= - - nA Qg Total Gate Charge2 ID=20A - 17 - nC Qgs Gate-Source Charge VDS=24V - 3 - nC Qgd Gate-Drain ("Miller") Charge VGS=5V - 10 - nC td(on) Turn-on Delay Time2 VDS=15V - 7.2 - ns tr Rise Time ID=20A - 60 - ns td(off) Turn-off Delay Time RG=3.3W,VGS=10V - 22.5 - ns tf Fall Time RD=0.75W - 10 - ns Ciss Input Capacitance VGS=0V - 800 - pF Coss Output Capacitance VDS=25V - 380 - pF Crss Reverse Transfer Capacitance f=1.0MHz - 133 - pF Source-Drain Diode Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Units IS Continuous Source Current ( Body Diode ) VD=VG=0V , VS=1.3V - - 40 A ISM Pulsed Source Current ( Body Diode )1 - - 169 A VSD Forward On Voltage2 Tj=25°C, IS=40A, VGS=0V - - 1.3 V Notes: 1.Pulse width limited by safe operating area. 2.Pulse width

2Do Home Yourself Теперь Вы устанете пояснять по пунктам:)

получается 10В, 50А (от такой мелкоты не ожидал) - верно ?

2sergey_sav
:)

SergeyE написал : получается 10В, 50А

неа, да ж из названия 40А и 30В

но теперь (там не O, там 0) вы, я думаю, самостоятельно сможите найти даташит

Do Home Yourself написал : вы, я думаю, самостоятельно сможите найти даташит

Даже не мечтайте...:D

а как по английски обзывают базу, эмиттер и коллектор ?