2_SERGEY_
Это мы уже пообсуждали, никакой пользы не нашли:
10.02.2006 в 17:47:40
2_SERGEY_
Это мы уже пообсуждали, никакой пользы не нашли:
10.02.2006 в 18:03:22
2радист
Спасибо, интересно.
Платка выглядит вполне прилично. Про дроссель я тоже догнал. Он напрямую с вах связан. Эх жал нет времени повозиться.
А как термозащита была сделана ?
10.02.2006 в 18:12:22
k_p написал : Я вообще о чем: если сравнивать косой мост(КМ) и однотранзисторный прямоход(ОП), то получается следующее:
В случае применения 600в IGBT в ОП, для получения выбросов не более 550В коэфф. заполнения должен быть ограничен 0.3, что по сравнению с 0.5 в КМ приводит к увеличению статических потерь на ключе на 60%(приусловии обеспечения вых.мощности), что конечно же меньше, чем в КМ, т.к. там 2 ключа. Т.е. увеличение КПД на лицо.
А продинамические потери не забывай они сохраняться, если не возрастут, но только теперь будут рассеиваться одним транзюком... Но если ставить ga200sa60u то как раз...
10.02.2006 в 18:33:46
2Multik
Ну вобщем польза есть одна - снижение тока первички на 20% и все. Хотя потерь с сумме больше. Мож когда нибудь для чего нибудь кому нибудь пригодится.
2Димка
Интересно у нас можно на радиорынке будут 150EBU02 и IRGP50B60PD1. Как думаешь?
11.02.2006 в 12:46:17
2sam_soft
Термозащита была на 554са3, термодатчик на кт814. Работала очень прилично. Глючила только в момент сварки. Если интересно схемку в понедельник.
2sam_soft
Хотел у тебя спросить сколько у вас стоит Е70 N87. Нужно 2 комплекта (4 половинки) желательно с каркасами. Можно ли чего придумать?
11.02.2006 в 17:20:58
У меня по поводу ОПП есть некоторые интересные дополнения.
Высоковольтные транзисторы имеют более высокие потери на переключение. А именно: потери растут пропрционально квадрату напряжения на транзисторе. Поэтому 900В IGBT горят даже на малых токах. По этой же причине косой на 2 шт IGBT в 2 раза лучше по динамическим потерям, чем ОПП.
В ОПП можно вставить 600В IGBT. Для этого в размагничивающей обмотке должно быть в 2 раза больше витков, чем в основной.
Размагничивающую обмотку полезно мотать совместно с основной. Это позволит ловить не только индуктивность намагничивания, но и индуктивность рассеяния между первичкой и вторичкой. Для этого первичка мотается жгутом, в который добавляется несколько жил в шелковой изоляции.
Чтобы выжать из ОПП больше мощности надо снизить динамические потери. Этого можно достигнуть установкой снаббера. Так как время выключения транзистора довольно большое, этот снаббер надо делать по схеме без потерь энергии.
11.02.2006 в 21:32:00
2радист ...Термозащита была на 554са3, термодатчик на кт814. Работала очень прилично. Глючила только в момент сварки. ...
А на фига она нужна в другое время?:)
12.02.2006 в 12:06:34
Sergey_G. написал :
- Высоковольтные транзисторы имеют более высокие потери на переключение. А именно: потери растут пропрционально квадрату напряжения на транзисторе. Поэтому 900В IGBT горят даже на малых токах. По этой же причине косой на 2 шт IGBT в 2 раза лучше по динамическим потерям, чем ОПП.
Насчет квадрата не корректно. Р=U*I=U*U/R=I*I*R. Поскольку I не меняется, то мощность пропорциональна напряжению. Косой по всем потерям хуже ОПП. 2 последовательно включенных IGBT 600в, имеют такие же праметры как 1 IGBT на 1200в. А чтобы динамические потери в косом не удваивались, управление надо сдвигать (чего ни в одной схеме я не увидел ;) )
12.02.2006 в 13:07:17
k_p написал : А чтобы динамические потери в косом не удваивались, управление надо сдвигать (чего ни в одной схеме я не увидел )
Неспроста не увидел. :) Сдвиг динамические потери не уменьшит, а вот замыкающие диоды конкретно подогреет - если сдвиг на 1-2мкс, то ток через них увеличится где-то вдвое.
12.02.2006 в 20:00:31
k_p написал : Насчет квадрата не корректно. Р=U*I=U*U/R=I*I*R. Поскольку I не меняется, то мощность пропорциональна напряжению. Косой по всем потерям хуже ОПП. 2 последовательно включенных IGBT 600в, имеют такие же праметры как 1 IGBT на 1200в. А чтобы динамические потери в косом не удваивались, управление надо сдвигать (чего ни в одной схеме я не увидел ;) )
Насчет квадрата - корректно. Читайте внимательней - речь шла о динамических потерях, они же потери переключения. И сдвигать импулься бесполезно - потери всеравно будут теже, ток при закрывании всеравно будет протекать через оба транзистора, все изза той же индукции рассеяния.
вопрос для wiha: на Upr_3825.gif что за транзисторы - силовые или еще какие? а то я не понял... и как они подключены к нагрузке?
12.02.2006 в 20:02:52
k_p Насчет квадрата не корректно. Р=U*I=U*U/R=I*I*R. Поскольку I не меняется, то мощность пропорциональна напряжению. Косой по всем потерям хуже ОПП. 2 последовательно включенных IGBT 600в, имеют такие же праметры как 1 IGBT на 1200в.
Ты лучше потери на ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ посчитай, посмотри их величину в даташите... , особенно на IGBT 1200В ;) . Если не убедительно будет, то собери схему на этом IGBT 1200В и посмотри сколько она тебе мощности выдаст.
Авторизуйтесь или зарегистрируйтесь, чтобы оставить комментарий.
Присоединяйтесь к самому крупному DIY сообществу