IGBT и MOSFET-инверторы - в чем разница?

Валери2001 написал : Хочу согласиться с этим мнением.
А на igbt - с небольшим "затуханием". Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь.

Иногда это называют эффектом "хвоста" IGBT. Вызвано это структурой этого составного транзистора, в котором полевой транзистор на входе и биполярный на выходе. Частотный диапазон IGBT как правило уже чем у полевых транзисторов. По крайней мере пока. Вместе с тем, как уже было отмечено выше, при обеспечении равных статических потерь IGBT выйдет дешевле.

Валери2001 написал : В перспективе у нас Торус легко может быть при ПВ100% на токе 250-260А, при сохранении тех же размеров и веса 5,7кг. .

Где доказательства на прогоне? (Часа 3-5) И не надо меня лечить,типа форсажа,горстарта и антистика там нет. Вы хотя бы знаете как это всё грамотно должно быть реализовано? (расчитано на тупого сварного наверно))))) На вэбсварке в видео всё показали.. Графики-цЫфры,ВАХ чтобы все видели!!! (на вашем стенде) Слабо? Торус как сварка так себе..(варил 200 и 200С),выпрямители и то варят лучше. А уж запредельные токи и ПВ на "самопале" сделать не сложно.:p

Валери2001 написал : А про перспективу мосфета.. Ну, что знаю, эту модельку евм выпускают на них.

Пико 180, на мосфетах? Что-то, как-то, весьма сомнительно... 162-й на игбт.

Валери2001 написал : Т.е. ключи у мосфет переключаются как бы резче, сигналы более правильной прямоугольной формы. А на igbt - с небольшим "затуханием".

Не факт, мяхко говоря, потому что: 1) у mosfet по сравнению с igbt при прочих примерно равных в несколько раз больше входная ёмкость, и далеко не каждый драйвер ключа сможет перезарядить такую ёмкость достаточно быстро; 2) igbt последних поколений вообще практисски не уступают mosfet в плане "резче".

Валери2001 написал : Если грубо, то новый импульс у igbt открывается, при не полном закрытом предыдущем. Это не совсем нормальное состояние работы транзистора, что укорачивает его жизнь.

То ли вы не так поняли, то ли разрабы ваши что-то не то вам рассказали. Т.н. "хвост" при закрывании igbt имел место быть только у самого первого поколения igbt, ну может ещё частично у второго. Сейчас они уже восьмого поколения, если не больше.

x-men написал : Иногда это называют эффектом "хвоста" IGBT. Вызвано это структурой этого составного транзистора, в котором полевой транзистор на входе и биполярный на выходе.

Эта проблема неактуальна уже минимум как лет 15, а скорее 20, см. выше.

ASN написал : Пико 180, на мосфетах?

да. сейчас делают опытный образец на так называемых IGBT new, но они будут только с VRD, и продаваться в Европе (в лучшем случае) с конца этого года.

ASN написал : 162-й на игбт.

да. 220 тоже на игбт.

Интересно, чем же обусловлены такие особенности схемотехники ЕВМ, что именно у 180-го мосфеты, у остальных ИГБТ.

чукча, хвост просто стал меньше. Прогресс конечно большой, но принципиально это явление в каком то виде будет всегда. Потому что хвостом называется остаточный ток коллектора биполярного транзистора, имеющегося в lgbt, возникающий из-за процесса рассасывания носителей в области базы после запирания транзистора.

Неоны не были никогда на МОСФЕТ-ах. 180-й на ИГБТ. Ранее 200 амперные были просто на биполярах. Теперь и они на ИГБТ. И Пико 162 на ИГБТ. IXGH40N60C2. Так что там в обсуждении какую то дурь написали.

tehsvar написал : Неоны не были никогда на МОСФЕТ-ах.

А ЕВМы и Неоны, это одно и то же?

чукча написал : Но чтобы на токе 20А у них статические потери были не больше, чем у одного HGTG30N60A4D, этих 2SK2837 нада 3-4 штуки параллельно,

А сколько нужно IGBT , чтобы статические потери на них сравнялись с баяном из трёх STW48NM60N на токе 60А? Хотя, я не встречал больше двух IGBT впараллель.

Ниже 1,5в на IGBT всё равно не будет сколько их не баянь, а вот на полевиках в лёгкую

нищеброд написал : А ЕВМы и Неоны, это одно и то же?

А при чём тут одно и то же? Дана ссылка на обсуждение этих двух аппаратов. Там сказано, что Неон на МОСФЕТ-ах, что неверно.

ASN написал : Интересно, чем же обусловлены такие особенности схемотехники ЕВМ, что именно у 180-го мосфеты, у остальных ИГБТ.

tehsvar написал : Неоны не были никогда на МОСФЕТ-ах. 180-й на ИГБТ.

Возможно, я что-то не понял.

Просто на такие киловольты и килоамперы, на которых IGBT работают, MOSFET-ы пока еще не изобрели и не придумали. А в сварочных инверторах они их постепенно вытесняют, зато в низковольтных инверторах, где большой ток, мосфет пока незаменим. Да и вообще быстро зарядить и разрядить затворную емкость мощного мосфет-а можно только двухтактным драйвером, управляемым противофазными сигналами, когда один полевик драйвера быстро заряжает емкость, а другой закорачивает затвор на массу и быстро сбрасывает заряд. Никакие резюки и кондюки сделать этого не смогут.

Serafim написал : А в сварочных инверторах они их постепенно вытесняют

Всё зависит от поставленной задачи. Если нужно максимально снизить потери в преобразователе, то альтернативы полевикам просто нет. Выбор драйверов (разумеется двухтактных) просто огромный http://www.compel.ru/catalog/power-conv-int/fet-driver/ . Кто кого вытесняет - вопрос открытый. Поживём - увидим.

нищеброд написал : Возможно, я что-то не понял.

В этой ссылке, на которую сослался Валери2001, идёт обсуждение ЕВМ 180 и НЕОН 180. Там указано, что Неон на МОСФЕТ-ах, что не так.
http://asoik.ucoz.ru/index/neon_vd_180_i_ewm_pico_180_svarochnye_apparaty_otzyvy/0-321 Вот выдержка из текста - ""трансформатор типа «тор» на феррите намотан с запасом по мощности медной намоточной многожильной проволокой; установлены мощные полевые транзисторы MOSFET; схема инвертора работает на частоте до 30 000 Гц."" После этого верить таким проверяльщикам аппаратов весьма проблематично.
А так, да. На сварочные свойства аппаратов, структура транзисторов никак не влияет, что я уже не раз говорил.